特許
J-GLOBAL ID：200903014397837366
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296457
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108566
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】半選択セルの誤書き込み防止とスイッチング磁場の低減を図る。【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第1及び第2強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有し、第1及び第2強磁性層のうちの少なくとも1つの平面形状は、2つ以上の文字Cを結合させた形状を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1及び第2強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有する磁気抵抗効果素子において、前記第1及び第2強磁性層のうちの少なくとも1つの平面形状は、2つ以上の文字Cを結合させた概形を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 21/824
H01L43/08 P
, G11C11/15 110
, G11C11/15 140
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA11
, 5F083GA15
, 5F083PR22
出願人引用 (5件)
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磁気RAMセル内の内部非対称
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-026344
出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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米国特許第5,748,524号
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米国特許第6,205,053号
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審査官引用 (7件)
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