特許
J-GLOBAL ID：200903035359129169

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
甲 斐 正

甲 斐 正 について

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高 橋 茂 樹

高 橋 茂 樹 について

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上 田 知 正

上 田 知 正 について

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岸 達 也

岸 達 也 について

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斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-287412
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128067
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】熱的に安定な磁気的構造を有するとともに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁界を低減することを可能にする。【解決手段】磁化方向が固定される第1の基準層2cと、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い本体部3およびこの本体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた突出部4とを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記憶層2eを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定される第1の基準層と、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い本体部およびこの本体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた突出部とを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記憶層を備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105
FI (4件)：
H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01L27/10 447
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR01 ,  5F083PR04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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