特許

J-GLOBAL ID：200903014423486860

ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置

発明者： ロベルト・トマシュ・ドヴィリニスキ ,  ロマン・マレク・ドラジニスキ ,  レシェック・ピョートル・シェシュプトフスキ ,  イエジ・ガルチニスキ ,  神原 康雄
出願人/特許権者： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ,  日亜化学工業株式会社
代理人 (3件)： 石井 久夫 ,  竹内 三喜夫 ,  田村 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-503864
公開番号（公開出願番号）：特表2004-533391
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

本発明はガリウム含有窒化物結晶を製造するアンモノ塩基性方法を提供するものである。本発明では、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも1つの種結晶上に結晶させる。この方法により非常に高い品質を有するガリウム含有窒化物結晶の単結晶を提供することができる。

請求項（抜粋）：

(i)ガリウム含有フィードストックと、アルカリ金属含有成分と、少なくとも1つのシードと、窒素含有溶媒とを少なくとも1つの容器に供給する工程と、 (ii)上記窒素含有溶媒を超臨界状態にする工程と、 (iii)上記ガリウム含有フィードストックの少なくとも一部を第1温度と第1圧力で溶解させる工程と、 (iv)上記窒素含有溶媒を超臨界状態にしたまま、第2温度と第2圧力にして上記シード上にガリウム含有窒化物を結晶化させる工程と、 を備えたガリウム含有窒化物結晶の形成方法であって、 (a)上記第2温度が上記第1温度よりも高い、又は(b)上記第2圧力が上記第1圧力よりも低い、条件の少なくとも一方を充たすことを特徴とするガリウム含有窒化物結晶の形成方法。

IPC (3件)：

C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  H01L33/00

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/10 ,  H01L33/00 C

Fターム (9件)：

4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EA03 ,  4G077HA02 ,  4G077KA09 ,  5F041AA31 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65

引用文献：

出願人引用 (5件)

• Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a star
• Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates
• Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N2
• recise control of pn-junction profiles for GaN-based LD structures using GaN substrates with low dis
• Hydrothermal synthesis of gallium orthophosphate crystals

審査官引用 (5件)

• Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a star
• Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates
• Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N2
• recise control of pn-junction profiles for GaN-based LD structures using GaN substrates with low dis
• Hydrothermal synthesis of gallium orthophosphate crystals