特許
J-GLOBAL ID：200903014472682861

半導体装置およびその製造方法

発明者：
山▲崎▼ 英亮

山▲崎▼ 英亮 について

, 
河野 有美子

河野 有美子 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215022
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033461
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 金属酸化物からなる容量絶縁膜を備えたキャパシタのストレージ電極に、低抵抗でコンタクトプラグが接続できるようにする。【解決手段】 コンタクトプラグ110上部に、タングステンのソースガスとしてWF6を用い,窒素のソースガスとしてNH3を用いた熱CVD法により、窒化タングステン膜201を形成し、これらを450°C以上に加熱することで、コンタクトプラグ110上面にWSiN膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を通して形成されたポリシリコンからなるコンタクトプラグと、このコンタクトプラグの上面に形成されたタングステンとシリコンと窒素とからなるバリア膜と、このバリア膜を介して前記コンタクトプラグに接続して前記層間絶縁膜上に形成された金属材料からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成された絶縁性を有する金属酸化物からなる容量絶縁膜と、この容量絶縁膜により絶縁分離されて前記第1の電極表面上に形成された第2の電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
Fターム (15件)：
5F083AD21 ,  5F083AD56 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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