アッシング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金本哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272980
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098026
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】イオン注入処理後のレジスト膜のアッシングレートを向上させると共に下地のシリコン酸化膜のエッチングを抑制する。【解決手段】処理容器2内のウエハWをハロゲンランプ4で加熱しつつアッシングする際、ガス供給源23、24、25、26からN2+H2+O2+CF4の混合ガスをチャンバ31内の供給管21でプラズマ化し、バッフル体13からウエハWに供給する。CF4の流量は、N2+H2の1/3以下とする。

請求項（抜粋）：

複数のガスからなる混合ガスをプラズマ化して、処理容器内の被処理基板表面の所定の膜を該プラズマ雰囲気の下でアッシングする方法において、前記混合ガスは少なくともN2とH2を含むガスであることを特徴とする、アッシング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 H , C23F 4/00 E , G03F 7/42 , H05H 1/46 A , H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭64-048418
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-065456 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
シャワーノズル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001892 出願人：株式会社東芝

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