特許
J-GLOBAL ID：200903014586625345
半導体基板の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186589
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】半導体インゴットとする材料の硬度に拘わらず、高品質の半導体基板を安定して製造することのできる半導体基板の製造方法、及び同製造方法に使用される製造装置を提供する。【解決手段】台座10に半導体の種結晶12を固定し、該固定した種結晶12から結晶を成長させて半導体インゴット13を生成する。そして、台座10に前記種結晶12および半導体インゴット13が固定された状態で、この台座を基準としたワイヤ放電加工により半導体インゴット13を任意の形状および寸法に切り出す。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
台座に半導体の種結晶を固定する工程と、
該固定した種結晶から結晶を成長させて半導体インゴットを生成する工程と、
前記台座に前記種結晶および前記生成された半導体インゴットを固定した状態で、前記台座を基準とした非接触加工により前記半導体インゴットを任意の形状および寸法に切り出す工程と、
を備える半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B23H7/06
, C30B33/00
H01L21/304 601Z
, B23H7/06 A
, C30B33/00
3C059AA01
, 3C059AB05
, 3C059FD03
, 3C059HA02
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077BE08
, 4G077FG13
, 4G077FG16
