特許
J-GLOBAL ID：200903014610909295

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-355187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183462
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 レーザ素子内の転位や微細なクラックを低減させ、しきい値をより低下させ、より一層良好な寿命特性を有する窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層が順に積層されてリッジ形状のストライプを有し、基板が、窒化物半導体と異なる異種基板と、該異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないか又は成長しにくい材料からなる保護膜を形成した後に、窒化物半導体を選択成長させてなる窒化物半導体1とからなり、n型窒化物半導体層が、前記基板上に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなるn型コンタクト層2を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層が順に積層されてリッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子において、基板が、窒化物半導体と異なる異種基板と、該異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないか又は成長しにくい材料からなる保護膜を形成した後に、窒化物半導体を選択成長させてなる窒化物半導体とからなり、n型窒化物半導体層が、前記基板上に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなるn型コンタクト層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (13件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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