特許
J-GLOBAL ID：200903014690288105

フォトレジスト組成物

発明者：
ゲイリー・エヌ・テイラー

ゲイリー・エヌ・テイラー について

, 
ゲイリー・ガングイ・テン

ゲイリー・ガングイ・テン について


出願人/特許権者：
シップレーカンパニー エル エル シー

シップレーカンパニー エル エル シー について


代理人 (3件)： 千田 稔 ,  辻永 和徳 ,  橋本 幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054280
公開番号（公開出願番号）：特開2004-038141
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】300nm以下および200nm以下、たとえば193nmおよび157nmをはじめとする短波長イメージングに好適でSiONおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す新規フォトレジスト及びこの組成物をコーティングしたマイクロエレクトリックデバイス基体。【解決手段】酸窒化シリコン層,該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトリックデバイス基体であって,該フォトレジスト組成物がポリマーなど1以上のフォト酸発生化合物を含み,ポリマーが1以上の接着促進基を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸窒化シリコン層、 該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がポリマーおよび1以上のフォト酸発生化合物を含み、ポリマーが1以上の接着促進基を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。
IPC (2件)：
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (11件)：
2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (7件)
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