フォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：千田稔 , 辻永和徳 , 橋本幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054131
公開番号（公開出願番号）：特開2004-038140
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】SiONおよび他の無機表面層に対して著しい接着性を示すことができる300nm以下および200nm以下、たとえば193nmおよび157nmを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。【解決手段】本発明のフォトレジストは、フォト酸レイビル基を有する樹脂、1以上のフォト酸発生化合物、および接着促進添加化合物を含む。本発明の接着促進添加化合物は酸窒化シリコン(SiON)層および他の無機物層と反応するかまたは錯体を形成することができる1以上の部位を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸窒化シリコン層、該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がフォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進成分を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。

IPC (4件)：

G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/11 503 , H01L21/30 502R

Fターム (13件)：

2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC06 , 2H025DA39 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (14件)

化学増幅型ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-198978 出願人：東京応化工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-128516 出願人：ジェイエスアール株式会社
高解像ポジティブ型乾燥膜フォトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-340012 出願人：モートンインターナショナル,インコーポレイティド

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