特許
J-GLOBAL ID：200903014702417887
シリコンウェーハの製造方法及びその方法により製造されたシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323544
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128593
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶棒への窒素ドープにてボイド状欠陥のサイズを小さくし、シリコンウェーハの水素アニール処理にてボイド状欠陥を消滅させる。【解決手段】 先ず窒素をドープしたシリコン単結晶棒14の引上げ速度をV(mm/分)とし、シリコン単結晶棒14及びシリコン融液13の固液界面からこの界面の上方10mmまでにおけるシリコン単結晶棒14内の引上げ方向の温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gが0.290〜0.340mm2/分・°Cとなるような引上げ速度V(mm/分)で引上げる。次にシリコン単結晶棒14を引上げに伴い冷却する。このときシリコン単結晶棒14を1130°Cから1050°Cまで冷却する時間は10〜30分間である。更にシリコン単結晶棒14をスライスしてシリコンウェーハを作製した後にシリコーンウェーハを水素アニール処理する。
請求項（抜粋）：
窒素をドープしたシリコン単結晶棒(14)の引上げ速度をV(mm/分)とし、前記シリコン単結晶棒(14)及びシリコン融液(13)の固液界面からこの界面の上方10mmまでにおける前記シリコン単結晶棒(14)内の引上げ方向の温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gが0.290〜0.340mm2/分・°Cとなるような引上げ速度V(mm/分)で引上げる工程と、前記シリコン単結晶棒(14)を引上げに伴い冷却する工程と、前記シリコン単結晶棒(14)をスライスしてシリコンウェーハを作製した後に前記シリコンウェーハを水素アニール処理する工程とを含み、前記シリコン単結晶棒(14)を1130°Cから1050°Cまで冷却する時間が10〜30分間であることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, H01L 21/208
, H01L 21/324
C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA01
, 4G077EH09
, 4G077FE05
, 4G077FG11
, 4G077GA01
, 4G077HA12
, 4G077PF17
, 5F053AA12
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053KK10
, 5F053PP03
, 5F053PP05
, 5F053RR03
