特許

J-GLOBAL ID：200903003758097301

シリコン半導体基板及びその製造方法

発明者： 碇 敦 ,  坂本 光 ,  中居 克彦 ,  星野 泰三
出願人/特許権者： シルトロニック・ジャパン株式会社
代理人 (7件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史 ,  藤田 健 ,  都祭 正則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153306
公開番号（公開出願番号）：特開2004-331496
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶基板の作成において、窒素を添加することにより空孔欠陥の発生を防ぎ、高品質な表面無欠陥層をもった熱処理基板を作成することを目的とする。【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造時に窒素を添加し、結晶中に1×1013atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下含有させた結晶を熱処理することにより基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下である半導体基板を得る。【効果】本発明の基板を用いることにより、ほぼ無欠陥の表面欠陥層を有する基板を作成でき、デバイスの作成歩留まりが高いウエハを提供することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法又は磁場印加チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (4件)：

C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

FI (4件)：

C30B29/06 502H ,  C30B15/04 ,  H01L21/322 Y ,  H01L21/324 X

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077GA01 ,  4G077GA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050396   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平4-215423
  
• 半導体基板の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302251   出願人：株式会社東芝
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084915   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Characterization of crystal quality by delineation of cop and the impact on the silicon wafer surfac
• Characterization of crystal quality by crystal originated particle delineation and the impact on the
• The SIMS measurement of nitrogen in nitrogen-doped CZ-silicon