特許

J-GLOBAL ID：200903005696129794

シリコン半導体基板およびその製造方法

発明者： 中居 克彦 ,  石坂 和紀 ,  坂本 光 ,  北原 功一 ,  太田 泰光 ,  田中 正博 ,  大橋 渡
出願人/特許権者： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210597
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274167
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、デバイスプロセス中の熱処理で酸素析出が起こって重金属ゲッタリング能力があり、かつ表面の結晶欠陥がなくデバイス特性に優れたシリコン半導体基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン単結晶において基板窒素濃度が1×1013/cm3以上である単結晶から切り出したシリコン単結晶ウエハに、エピ層を堆積したときに、積層欠陥(リング状分布積層欠陥)が0.5個/cm2以下であること、あるいは転位(転位ピット欠陥)がウエハ全面に渡って0.5個/cm2以下であることを特徴とするシリコン単結晶基板およびその製造方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造された窒素含有シリコン単結晶から切り出したシリコン単結晶ウエハの表面に、エピタキシャル法によりシリコン単結晶層(エピ層)を堆積してなるシリコン半導体基板であって、前記シリコン単結晶ウエハの窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であり、前記シリコン半導体基板の全面に渡って、{111}面上の格子間原子型積層欠陥(リング状分布積層欠陥)が、エピ層中に0.5個/cm2以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 502 Z ,  C30B 29/06 504 E ,  H01L 21/208 P

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB03 ,  4G077CF10 ,  4G077DB04 ,  4G077EA10 ,  4G077EB01 ,  4G077EH10 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053KK03 ,  5F053PP03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146668   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128343   出願人：住友金属工業株式会社
• 高品質シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-349722   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049709   出願人：住友シチックス株式会社
• 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-172274   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶およびエピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-358557   出願人：住友金属工業株式会社