記録媒体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-023797
公開番号（公開出願番号）：特開2005-216119
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】高速にメタ情報の読み書きができ且つ寿命が長い半導体フラッシュメモリを提供する。【解決手段】パーティションブートセクタ103の先頭を消去ブロック112の先頭と一致させる。FAT105の先頭が消去ブロックの先頭と一致するように、予約領域104のセクタ数をM×N-1とする。Mはパーティションブートセクタ103と予約領域104とに係る消去ブロック数である。ユーザデータ領域109のセクタ数をクラスタ当たりのセクタ数で割って有効クラスタ数Tcとする。FATで管理できるクラスタ数がユーザデータ領域109に確保されるクラスタ数以上となるように、FAT当たりの消去ブロック数を決める。以上のようにして、ふたつのFATがひとつの消去ブロック内に並存するのを回避する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

消去ブロック単位でデータが消去される半導体フラッシュメモリであって、ファイルとしてデータを記録するユーザ領域と、前記ファイルを管理するためのデータであるメタ情報を記録するシステム領域とを備え、前記ユーザ領域と前記システム領域とは消去ブロックを共有せず、前記ユーザ領域においてひとつのデータが記録または消去される際に、これと関連付けて更新される複数のメタ情報は互いに異なる消去ブロックに記録されることを特徴とする半導体フラッシュメモリ。

IPC (2件)：

G06F12/00 , G11C16/02

FI (6件)：

G06F12/00 542D , G06F12/00 501P , G06F12/00 520J , G06F12/00 542J , G11C17/00 612F , G11C17/00 601E

Fターム (7件)：

5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE05 , 5B082CA01 , 5B082CA16 , 5B082EA01 , 5B082JA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体メモリカードについてのアクセス装置、コンピュータ読取可能な記録媒体、初期化方法、及び半導体メモリカード
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-321738 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

ファイル管理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256019 出願人：三菱電機株式会社
データ記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-112641 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体メモリの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214561 出願人：株式会社東芝

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