特許
J-GLOBAL ID：200903014717233600

疎水性修飾ポリロタキサン及び架橋ポリロタキサン

発明者：
伊藤 耕三

伊藤 耕三 について

, 
荒木 潤

荒木 潤 について

, 
鈴木 達也

鈴木 達也 について

, 
山中 雅彦

山中 雅彦 について

, 
渡邉 健太郎

渡邉 健太郎 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について

, 
国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (1件)： 的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284925
公開番号（公開出願番号）：特開2007-091938
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】有機溶剤に可溶な疎水性修飾ポリロタキサン及びこれを用いた架橋ポリロタキサンを提供すること。【解決手段】疎水性修飾ポリロタキサンは、環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有する。環状分子がシクロデキストリンで、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部が疎水性の修飾基で修飾されている。 架橋ポリロタキサンは、この疎水性修飾ポリロタキサンと、ポリマーを環状分子を介して結合して成る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、 上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部が疎水性の修飾基で修飾されていることを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。
IPC (3件)：
C08G 85/00 ,  C08G 63/08 ,  C08G 65/00
FI (3件)：
C08G85/00 ,  C08G63/08 ,  C08G65/00
Fターム (19件)：
4J005AA21 ,  4J005BD00 ,  4J029AA02 ,  4J029AB07 ,  4J029AC01 ,  4J029AE06 ,  4J029AE18 ,  4J029EG09 ,  4J031BA29 ,  4J031BB01 ,  4J031BB02 ,  4J031BC19 ,  4J031BD03 ,  4J031BD12 ,  4J031BD13 ,  4J031BD30 ,  4J031CA06 ,  4J031CD03 ,  4J031CD15
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM