光起電力素子及びその製造方法、建築材料並びに発電装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199846
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028453
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】電流が多く発生し、変換効率が高い光起電力素子及びその製造方法を提供するものである。また堆積速度が速く、比較的薄くても変換効率のよい、しかも、低温で安価に製造できる、生産性に優れた光起電力素子及びその製造方法を提供する。長期間の使用において比較的安定な、総合的に優れた光起電力素子及びその製造方法、建築材料並びに発電装置を提供する。【解決手段】結晶相を含まない第1の半導体層4Aと、概略球状の微結晶相を含む第2の半導体層4Bと、柱状の微結晶相を含む第3の半導体層4Cとをこの順に積層した構造を有する光起電力素子において、第2の半導体層4Bの概略球状の微結晶相の平均の径が、第1の半導体層4A側に比べて第3の半導体層側4Cで大きい。

請求項（抜粋）：

結晶相を含まない第1の半導体層と、概略球状の微結晶相を含む第2の半導体層と、柱状の微結晶相を含む第3の半導体層とをこの順に積層した構造を有する光起電力素子において、前記第2の半導体層の概略球状の微結晶相の平均の径が、前記第1の半導体層側に比べて前記第3の半導体層側で大きいことを特徴とする光起電力素子。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , E04D 3/40 , E04D 13/18 , H01L 31/042

FI (4件)：

H01L 31/04 B , E04D 3/40 V , E04D 13/18 , H01L 31/04 R

Fターム (18件)：

2E108BB01 , 2E108BN01 , 2E108GG16 , 2E108KK00 , 2E108LL01 , 2E108MM08 , 2E108NN07 , 5F051AA04 , 5F051BA03 , 5F051BA05 , 5F051BA14 , 5F051BA18 , 5F051CA15 , 5F051CA22 , 5F051CB25 , 5F051CB29 , 5F051DA04 , 5F051GA02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開2045-078185
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242708 出願人：キヤノン株式会社
薄膜太陽電池とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-091033 出願人：株式会社日立製作所

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