半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217085
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044202
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜にCu拡散バリア性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数のCu配線を有する半導体装置において、Cu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12からなるCu配線とがHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)膜3によって分離され、HSQ膜3にはCu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12とを電気的に接続するCuプラグを形成されている。Cuプラグの側壁には、HSQ膜3とCuプラグとの密着性を高めるための密着用メタルであるW(タングステン)膜4が形成されている。

請求項（抜粋）：

複数のCu配線を有する半導体装置において、絶縁膜として少なくとも1部にHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)を用いた材料を使用し、そのHSQと接する部分のCu濃度が1019atoms/cm3 以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G , H01L 21/90 S

Fターム (44件)：

5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW04 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AD01 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF46 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

デュアル・ダマスク技術
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135315 出願人：聯華電子股ふん有限公司, 聯華電子股分有限公司
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-350393 出願人：富士通株式会社
耐熱金属ライナを有する銅スタッドによる相互接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272700 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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