特許

J-GLOBAL ID：200903014866373643

トレンチ・コンデンサ及びトレンチ・コンデンサの製造方法

発明者： スーザン・イー・シャルー ,  ツェ=チアン・チェン ,  ジョナサン・イー・ファルターマイヤー ,  ウルリケ・グリューニング ,  ラージャラーオ・ジャンミー ,  ジャック・エイ・マンデルマン ,  クリストファー・シー・パークス ,  ポール・シー・パリーズ ,  ポール・エイ・ロンスハイム ,  ユン=ユー・ワン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358052
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183302
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ・コンデンサ構造において、結晶化度が異なる領域間での、相互作用を抑制する構造を得る。【解決手段】 トレンチ・コンデンサ40は、基板60に、トレンチ44、埋め込みプレート電極42、ノード誘電体46、酸化物カラー48、トレンチ電極材料50、導電性ストラップ56を有する。窒化シリコンの薄膜である量子導電層が、導電性ストラップ56と基板60の間の界面58及び、トレンチ電極50と導電性ストラップ56の界面62に配置されている。この量子導電層により、ストラップ56もしくは基板60への、トレンチ電極50もしくはストラップ56の再結晶の力の伝達を抑止することができる。これにより、デバイスの信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板に形成された深いトレンチ・コンデンサであって、(i)前記基板中のトレンチの外部部分の周りの前記基板中の埋込みプレートと、(ii)前記トレンチの少なくとも下側内部部分の周りに形成されたノード誘電体と、(iii)前記トレンチ中の電極と、(iv)前記トレンチ電極及び前記単結晶基板に電気的に接続され、前記トレンチ電極から遠ざかるように延びる導電性ストラップとを含み、さらに、(v)前記単結晶基板と前記トレンチ電極の間に量子導電バリヤ層を含むコンデンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスおよび製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347663   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• メモリ・セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077069   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-265551   出願人：株式会社東芝
• 単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体を有する半導体装置および単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体との間のコンタクトを生成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046614   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

審査官引用 (4件)

• ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスおよび製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347663   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• メモリ・セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077069   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-265551   出願人：株式会社東芝
• 単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体を有する半導体装置および単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体との間のコンタクトを生成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046614   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト