特許
J-GLOBAL ID：200903014877471566

半導体装置及び携帯電子機器

発明者：
柴田 晃秀

柴田 晃秀 について

, 
岩田 浩

岩田 浩 について

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柿本 誠三

柿本 誠三 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349675
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158293
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 DTMOS及び基板バイアス可変トランジスタを有する低消費電力で信頼性の高い半導体装置及びそれを用いた携帯電子機器を提供すること。【解決手段】 半導体基板11上に3層のウェル領域12,14,16;13,15,16を形成し、浅いウエル領域16,17にDTMOS29,30と基板バイアストランジスタ27,28を設ける。PNP、NPNまたはNPNP構造となる境界に、広い幅の素子分離領域181,182,183を設け、両側のウエル領域の導電型が同一のときには、狭い幅の素子分離領域18を設ける。これにより、各導電型の基板バイアス可変トランジスタ27,28が設けられた各導電型の複数のウェル領域を電気的に互いに独立させることができ、消費電力を低減できる。また、ラッチアップ現象を抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第1導電型の1番目に深いウェル領域と、前記第1導電型の1番目に深いウェル領域上に形成された第1導電型の2番目に深いウェル領域と、前記第1導電型の2番目に深いウェル領域上に形成された第2導電型の浅いウェル領域と、前記第2導電型の浅いウェル領域上に形成され、ゲート電極と前記第2導電型の浅いウェル領域とが電気的に接続された第1導電型の動的閾値トランジスタと、前記第1導電型の1番目に深いウェル領域上に形成された第2導電型の2番目に深いウェル領域と、前記第2導電型の2番目に深いウェル領域上に形成された第2導電型の浅いウェル領域と、前記第2導電型の浅いウェル領域上に形成された第1導電型の電界効果トランジスタと、前記第2導電型の浅いウェル領域上に形成され、前記第1導電型の電界効果トランジスタの基板バイアスを変化させるための入力端子と、前記半導体基板内に形成された第2導電型の1番目に深いウェル領域と、前記第2導電型の1番目に深いウェル領域上に形成された第2導電型の2番目に深いウェル領域と、前記第2導電型の2番目に深いウェル領域上に形成された第1導電型の浅いウェル領域と、前記第1導電型の浅いウェル領域上に形成され、ゲート電極と前記第1導電型の浅いウェル領域とが電気的に接続された第2導電型の動的閾値トランジスタと、前記第2導電型の1番目に深いウェル領域上に形成された第1導電型の2番目に深いウェル領域と、前記第1導電型の2番目に深いウェル領域上に形成された第1導電型の浅いウェル領域と、前記第1導電型の浅いウェル領域上に形成された第2導電型の電界効果トランジスタと、前記第1導電型の浅いウェル領域上に形成され、前記第2導電型の電界効果トランジスタの基板バイアスを変化させるための入力端子と、前記第1導電型の2番目に深いウェル領域と前記第2導電型の浅いウェル領域との接合の深さよりも深く、かつ、前記第1導電型の1番目に深いウェル領域と前記第2導電型の2番目に深いウェル領域との接合の深さよりも浅い素子分離領域と、前記第2導電型の2番目に深いウェル領域と前記第1導電型の浅いウェル領域との接合の深さよりも深く、かつ、前記第2導電型の1番目に深いウェル領域と前記第1導電型の2番目に深いウェル領域との接合の深さよりも浅い素子分離領域とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331
FI (5件)：
H01L 27/08 331 A ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 27/08 321 B
Fターム (29件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AA47 ,  5F032BA02 ,  5F032CA01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA22 ,  5F048AA00 ,  5F048AA03 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC00 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA12 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048BH03 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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