特許

J-GLOBAL ID：200903015035164408

遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 浦野 文良 ,  大野 桂二 ,  松田 裕史 ,  遠藤 政孝 ,  小林 智
出願人/特許権者： 和光純薬工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-316268
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：

【要約】【目的】KrFエキシマレーザ光等の遠紫外光リソグラフィを利用してレジストパターンを形成する際に、半導体基板からの反射による膜内多重反射の影響を防止する目的で使用する、半導体基板の表面に量産化対応が可能な反射防止膜を形成し得る新規な遠紫外光吸収材料とこの材料を用いるパターン形成方法の提供。【構成】分子中にグリシジル基を1以上有する化合物1種以上と、フェノール性水酸基のp-位、又はm-位に-O-SO2-、-O-CO-又は-CO-を導入したヒドロキシフェニル基を1分子中に2個以上有するアントラセン誘導体1種以上と、これ等を溶解可能な溶剤と、から成る遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

分子中にグリシジル基を1以上有する化合物1種以上と、下記一般式〔1〕【化1】[式中、Xは-O-SO2-、-O-CO-又は-CO-を表わし、R1及びR2は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸基を表わし、R3、R4、R5及びR6は夫々独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記一般式〔2〕【化2】(式中、R1、R2及びXは前記と同じ。)で示される基を表わす(但し、R3〜R6の内、少なくとも一つは一般式〔2〕で示される基を表わす。又、一般式〔2〕で示される基が同時にアントラセン環の1位、8位及び9位に導入された化合物は除く。)。]で示されるアントラセン誘導体1種以上と、これ等を溶解可能な溶剤と、から成る遠紫外光吸収材料。

IPC (5件)：

C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/40 NLE ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 502 ,  H01L 21/027