半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399808
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201416
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が小さく、LSIのCMP工程に耐える機械強度、接着性を有する低誘電率膜を形成できる、プロセスマージンの大きな半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、比誘電率が小さく、LSIのCMP工程に耐える機械強度、接着性を有し、LSIの高性能化を高歩留まりで実現できる半導体用シリカ系被膜及び高性能、高信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表せられるシリコン化合物と、これに対して1〜50モル%の下記一般式(II)で表せられるシロキサン化合物を、共部分加水分解重縮合して得られる半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、この半導体用シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、200〜600°Cで加熱硬化させてなる、弾性率が2.0GPa以上、比誘電率が2.0〜3.0である半導体用シリカ系被膜及びこの半導体用シリカ系被膜の形成された半導体装置。【化1】【化2】

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中R1は、水素原子又は炭素数1〜12の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数である)で表せられるシリコン化合物と、これに対して1〜50モル%の一般式(II)【化2】(式中R2は、水素原子又は炭素数1〜8の有機基を示し、複数個のR2の少なくとも一つは不飽和炭化水素基であり、nは0又は1の整数である)で表せられるシロキサン化合物を、共部分加水分解重縮合して得られる半導体用シリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C09D 5/25 , C09D183/02 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (5件)：

C09D183/04 , C09D 5/25 , C09D183/02 , H01L 21/312 C , H01L 21/90 Q

Fターム (22件)：

4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038GA01 , 4J038JC32 , 4J038MA08 , 4J038MA10 , 4J038NA11 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F033QQ48 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX12 , 5F033XX23 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び該被膜を用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-314989 出願人：日立化成工業株式会社
シリカ系被膜及びそのシリカ系被膜を有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-228072 出願人：日立化成工業株式会社
コンフォーマルコーティング剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056762 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

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