特許

J-GLOBAL ID：200903015133667272

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 上村 俊也 ,  平野 敦雄 ,  堀内 茂美
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250985
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【目的】 p台座電極に印加できる許容電流量を増大する。【構成】 透光性電極においてp型台座電極の周面と接する部分を厚肉部とすることにより当該周面と透光性電極との接合面積を増大させ、もってp型台座電極に印加できる許容電流を増大する。また、当該厚肉部を採用することより透光性電極と台座電極周面との間に亀裂が入ることを未然に防止する。

請求項（抜粋）：

p型台座電極の周面と接する部分が厚肉部にされている透光性電極を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/46 B ,  H01L 29/46 Z

Fターム (44件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF11 ,  4M104FF18 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH18 ,  5F041CA40 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC19 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB04 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-118315   出願人：昭和電工株式会社
• 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345585   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-047064   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-040209   出願人：三洋電機株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038699   出願人：三洋電機株式会社