特許
J-GLOBAL ID：200903015196126182

窒化物系半導体レーザ素子

発明者：
野村 康彦

野村 康彦 について

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井上 大二朗

井上 大二朗 について

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畑 雅幸

畑 雅幸 について

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狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275763
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111853
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】レーザ光の安定化を図るとともに、しきい値電流や動作電流が増大するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、酸素がドープされたn型GaN基板1と、n型GaN基板1上に形成されたアンドープのn型クラッド層3と、アンドープのn型クラッド層3上に形成された窒化物系半導体からなるMQW活性層41と、MQW活性層41上に形成されたp型クラッド層5と、p型クラッド層5とMQW活性層41との間に形成され、約0.1μmの膜厚を有するp側光ガイド層42と、アンドープのn型クラッド層3とMQW活性層41との間に形成され、p側光ガイド層42の膜厚よりも小さい約0.05μmの膜厚を有するn側光ガイド層44とを備えている。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
不純物がドープされた窒化物系半導体、および、硼化物系材料のいずれか一方からなる基板と、 前記基板上に形成されたn型クラッド層と、 前記n型クラッド層上に形成された窒化物系半導体からなる活性層と、 前記活性層上に形成されたp型クラッド層と、 前記p型クラッド層と前記活性層との間に形成され、第1の厚みを有するp側光ガイド層と、 前記n型クラッド層と前記活性層との間に形成され、前記第1の厚みよりも小さい第2の厚みを有するn側光ガイド層とを備えた、窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (19件)：
5F073AA04 ,  5F073AA44 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA14 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073EA15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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