特許
J-GLOBAL ID：200903007660911839
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261324
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】任意の色度の光を生成することのできるLED、特に三原色以上の白色LEDとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子10を構成する下地層2を、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の高結晶Al含有窒化物半導体から構成する。発光層5は、Al、Ga、及びInの少なくとも一種を含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含有した窒化物半導体から構成する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された、少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下である第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる第1の導電層と、この第1の導電層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第3の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含む第4の窒化物半導体からなる発光層と、この発光層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第5の窒化物半導体からなる第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第6の窒化物半導体からなる第2の導電層と、を具えることを特徴とする、半導体発光素子。
Fターム (8件)：
5F041AA11
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
