磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-116387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309251
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 MRAMのTMR素子に書き込み磁界を効率よく作用させる。【解決手段】 TMR素子23の直下には、書き込みワード線20Bが配置される。書き込みワード線20Bは、X方向に延び、その下面は、高透磁率を有するヨーク材25Bにより覆われている。TMR素子23の直上には、データ選択線(読み出し/書き込みビット線)24が配置される。データ選択線24は、X方向に交差するY方向に延び、その上面は、高透磁率を有するヨーク材27により覆われている。書き込み動作時、書き込みワード線20B及びデータ選択線24に流れる書き込み電流により発生する磁界は、ヨーク材25B,27により、効率よく、TMR素子23に作用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部に形成され、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルと、前記メモリセルの直下に配置され、第1方向に延びる第1書き込み線と、前記メモリセルの直上に配置され、前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2書き込み線と、前記第2書き込み線の表面の一部のみを覆う第1ヨーク材とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-173394 出願人：株式会社日立製作所
共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-040986 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
電力変換装置の並列運転制御方法とその制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-241628 出願人：富士電機株式会社

全件表示

前のページに戻る