特許
J-GLOBAL ID：200903015327898593

発光装置およびその作製方法、及び蒸着装置

発明者：
坂倉 真之

坂倉 真之 について

, 
野田 剛司

野田 剛司 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042623
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261109
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるTFTの半導体層に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第1の電極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第2の電極とを積層することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタの半導体層に接して接続された第1の電極と、 前記第1の電極の端部を覆う絶縁物と、 前記第1の電極上にバッファ層と、該バッファ層上に有機化合物を含む層と、該層上に第2の電極とを有する発光素子であり、 前記第1の電極は、第1領域と、該第1領域と積層数が異なる第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との境界線上に段差部とを有し、 前記段差部は前記絶縁物で覆われていることを特徴とする発光装置。
IPC (9件)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  G09F 9/00 ,  C23C 14/24
FI (10件)：
H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/22 C ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/00 338 ,  C23C14/24 C
Fターム (34件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB04 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB05 ,  3K007EC00 ,  3K007FA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BB03 ,  4K029CA01 ,  4K029DA12 ,  4K029DB12 ,  4K029DB14 ,  4K029DB15 ,  4K029DB18 ,  4K029HA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA09 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094GB10 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL04 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM