特許
J-GLOBAL ID：200903073472562102

発光装置及び発光装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
長尾 里築子

長尾 里築子 について

, 
中村 康男

中村 康男 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173424
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038833
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成することが出来る、発光装置の作製方法及び発光装置の提供を課題とする。【解決手段】 発光素子と、補助電極とを各画素に有する発光装置であって、発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に設けられた電界発光層とを有し、第1の電極は、絶縁膜に形成された第1の開口部を介して、絶縁膜上に形成された電界発光層及び第2の電極と互いに接するように重なっており、補助電極は、絶縁膜に形成された第2の開口部を介して、第2の電極と接続されていることを特徴とする発光装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光素子と、補助電極とを各画素に有し、 前記発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の間に設けられた電界発光層とを有し、 前記第1の電極は、絶縁膜に形成された第1の開口部において、前記絶縁膜上に形成された前記電界発光層を間に挟んで前記第2の電極と重なっており、 前記補助電極は、前記絶縁膜に形成された第2の開口部を介して、前記第2の電極と接続されていることを特徴とする発光装置。
IPC (4件)：
H05B33/26 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (5件)：
H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (9件)：
3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB04 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)

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