特許
J-GLOBAL ID：200903015458504760

半導体装置およびその製造方法

発明者：
冨田 克博

冨田 克博 について


出願人/特許権者：
九州日本電気株式会社

九州日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288710
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121620
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】下地配線が設けられた半導体基体から接続情報を取り込んだ半導体装置へのTATが短かくできる構造の半導体装置を提供する。【解決手段】配線貫通コンタクト孔141は、第3の層間絶縁膜,例えば配線132b,第2の層間絶縁膜,例えば配線123aおよび第1の層間絶縁膜を貫通して、N型ソース・ドレイン領域117bに達している。例えば配線131aと配線131bとは、配線分断開口部147により分断されている。
請求項（抜粋）：
半導体素子が設けられた半導体基板の表面は第1の層間絶縁膜により覆われ、該第1の層間絶縁膜の表面上には第1の配線が設けられ、該第1の配線を含めて該第1の層間絶縁膜の表面は第2の層間絶縁膜により覆われ、該第2の層間絶縁膜の表面上には第2の配線が設けられ、該第2の配線を含めて該第2の層間絶縁膜の表面は第3の層間絶縁膜により覆われている半導体装置であって、少なくとも前記半導体素子の直上において前記第2の層間絶縁膜を介して前記第2の配線と前記第1の配線とが交差する交差部を有し、該交差部において前記第3の層間絶縁膜の表面から該第3の層間絶縁膜と該第2の配線と該第2の層間絶縁膜と該第1の配線と前記第1の層間絶縁膜とを貫通して該半導体素子に達する配線貫通コンタクト孔が設けられ、さらに、該配線貫通コンタクト孔が導電体膜からなるコンタクト・プラグにより充填されていることと、前記交差部を除いた部分において、前記第3の層間絶縁膜の表面から該第3の層間絶縁膜を貫通し,少なくとも前記第2の配線を分断し,少なくとも前記第2の層間絶縁膜に達する配線分断開口部が設けられ、さらに、該配線分断開口部が絶縁膜により充填されていることとを併せて特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3213
FI (4件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 D
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM