固体撮像素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376394
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185870
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】水平方向の電荷の加算を可能にするラインメモリの電荷転送速度を低下させることがない固体撮像素子を提供する。【解決手段】CCDラインメモリ部40から水平電荷転送素子45へ電荷を転送する際に、制御信号φLMをローレベルLMLにすると共に、水平駆動信号φH1をハイレベルHHにすると、第1水平転送電極47の下での水平電荷転送チャネルの電位が、転送制御電極42の下での垂直電荷転送チャネル20aの電位より高くなる。従って、電荷QがCCDラインメモリ部40から水平電荷転送素子45へ転送される。CCDラインメモリ部40に、ポテンシャルが転送方向に向かって徐々に高くなる電位スロープを設けることにより、電荷転送チャネルに欠陥が発生していても速やかにポテンシャルが大きい方に信号電荷を転送することができる。

請求項（抜粋）：

複数の列方向及び列方向と交差する複数の行方向に配列された多数個の光電変換素子と、各光電変換素子列に沿って設けられ、各光電変換素子で発生した信号電荷を前記光電変換素子列を構成する光電変換素子の配列方向に転送する複数の第1シフトレジスタと、前記第1シフトレジスタの各々に対応して前記第1シフトレジスタの各々から信号電荷が転送されるように配置され、前記第1シフトレジスタから転送された信号電荷を一時的に蓄積して選択に応じて転送すると共に、転送方向に向かってポテンシャルが徐々に高くなるように形成された複数のラインメモリと、前記ラインメモリに蓄積された信号電荷を選択的に読み出し、該信号電荷を前記配列方向と交差する方向に転送する第2シフトレジスタと、を含む固体撮像素子。

IPC (2件)：

H04N 5/335 , H01L 27/148

FI (3件)：

H04N 5/335 U , H04N 5/335 F , H01L 27/14 B

Fターム (24件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA13 , 4M118CA04 , 4M118DA03 , 4M118DA23 , 4M118DB05 , 4M118DB06 , 4M118DB11 , 4M118FA06 , 4M118FA43 , 4M118GB08 , 4M118GB11 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AX01 , 5C024BX00 , 5C024CX51 , 5C024GY06 , 5C024JX23 , 5C024JX27

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241182 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-019350 出願人：日本電気株式会社
特開平4-369226

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