特許
J-GLOBAL ID:200903015487518860
容量結合RFプラズマ反応室
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-534036
公開番号(公開出願番号):特表2001-508923
出願日: 1998年01月13日
公開日(公表日): 2001年07月03日
要約:
【要約】容量結合RFプラズマ反応室において、1対の隔てられた電極(10、20)の間に放電領域(3)が設けられ、これらの電極のうちの少なくとも一方(10)は多数の副電極(12)に細分され、これらはグループ(A、B、C)においてそれぞれ対応の電気信号で動作させられる。これらの信号(V11からV13)の振幅、位相同期およびスペクトル内容を適当に選択することにより、特に大面積のワークピースを処理する際に、第2の電極(20)上に置かれるワークピースに対して所望の分布の処理効果が実現できる。
請求項(抜粋):
容量結合RFプラズマ反応室であって、 相互に実質的に一定の間隔をあけて置かれ、プラズマ反応体積を制限する第1および第2の延長された電極構成を含み、 前記第1および前記第2の電極構成の少なくとも一方は電気的に相互に分離される副電極に細分されており、 前記副電極の第1のグループは共通の第1の電気入力に接続され、 前記副電極の第2のグループは第2の電気入力に共通に接続され、 前記第1および前記第2の電気入力は独立している、反応室。
IPC (3件):
H05H 1/46
, C23C 16/505
, H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/46 M
, C23C 16/505
, H01L 21/302 C
引用特許:
審査官引用 (17件)
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真空プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-018280
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭58-223400
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-211649
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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特開平1-159379
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特開昭57-192268
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プラズマCVD装置とそのクリーニング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-115370
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-019772
出願人:ソニー株式会社
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特開昭58-223400
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特開平1-159379
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特開昭57-192268
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特開昭58-223400
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特開平1-159379
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特開昭57-192268
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-171370
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-060588
出願人:三洋電機株式会社
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プラズマの不均一性を制御する装置およびプラズマ生成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-296306
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平4-196319
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