特許
J-GLOBAL ID：200903015500334234

電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた集積回路装置及びスイッチ回路

発明者：
石田 秀俊

石田 秀俊 について

, 
田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266266
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 電界効果型トランジスタにおいて、最大電流密度の向上とゲート耐圧の向上とを両立できるようにする。 【解決手段】 化合物半導体基板11の上には、アンドープのInGaAsからなるチャネル層14、n型AlGaAsからなキャリア供給層15、自然格子構造を有していない無秩序配列(Disordered)のInGaPからなるショットキー層16及びGaAsからなるキャップ層17が順次積層されており、キャップ層17の間に露出したショットキー層16の上にはゲート電極18が形成されており、キャップ層17の上にはソース電極19及びドレイン電極20が形成されている。ショットキー層16の厚さは約8nm以下に設定され、これにより、ゲート電極18の逆方向耐圧がAlGaAsからなるショットキー層の場合と比べて大きくなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
キャリアが走行する第1の化合物半導体層と、 前記第1の化合物半導体層の上に形成され、前記第1の化合物半導体層にキャリアを供給する第2の化合物半導体層と、 前記第2の化合物半導体層の上に形成された第3の化合物半導体層と、 前記第3の化合物半導体層の上に形成され、前記第3の化合物半導体層とショットキー接合するゲート電極とを備え、 前記第3の化合物半導体層は、その少なくとも上部に自然超格子が破壊され且つ厚さが所定値以下に設定されたリン化インジウムガリウムを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (20件)：
5F102FA01 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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