補強面微細加工構造物およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田行一 , 鈴木康仁 , 二宮克之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-539116
公開番号（公開出願番号）：特表2005-506909
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

補強面微細加工構造およびその製造方法。シリコン基板(10)を先ずエッチングして格子構造において複数の溝(14)を含む型を形成する。シリコン基板(10)上の犠牲酸化物(15)を成長させ、基板の表面に補強部材(16)(窒化ケイ素)を蒸着し、溝を窒化ケイ素で埋め戻す。窒化ケイ素をパターン形成して機械部材を形成し、金属(40)を蒸着してパターン形成し、機械部材の静電気アクチュエータ用のリードおよびキャパシタを形成する。製造した微細加工装置の下から型をエッチングすることにより、垂直リブを有する自立型窒化ケイ素装置を残した状態で、基礎を成すシリコンおよび犠牲酸化物を除去する。装置は補強リブを有するため、平面から外れる曲がり剛性が増す。補強リブを有する窒化ケイ素双軸ポインティングミラーも記載されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板をエッチングして内部に型を成形することと、前記基板上に構造補強部材を蒸着して前記型を前記構造補強部材で埋め戻すことと、前記基板に蒸着される補強部材をパターン形成して前記薄膜微細加工装置を前記基板上に形成することと、前記型をエッチングして前記型を埋め戻した補強部材を除去せずに前記微細加工装置を解放することと、を含む薄膜微細加工装置の製造方法。

IPC (3件)：

B81C1/00 , B81B3/00 , G02B26/08

FI (3件)：

B81C1/00 , B81B3/00 , G02B26/08 E

Fターム (5件)：

2H041AA14 , 2H041AA15 , 2H041AB14 , 2H041AZ02 , 2H041AZ08

引用特許：

審査官引用 (9件)

ガルバノミラーおよびこれを用いた光ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-167676 出願人：株式会社東芝
マイクロマシンセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-275857 出願人：アイシン精機株式会社
光学的情報読取装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-006434 出願人：株式会社デンソー

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