不揮発性半導体記憶素子およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247878
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066984
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】小占有面積かつ、データ書き換え回数、データ保持特性の優れた不揮発性半導体記憶素子を提供する。【解決手段】フローティングゲート18に電荷を保持してデータを記憶する不揮発性半導体記憶素子であって、該フローティングゲート18を有するMOSトランジスタ13と、メタル層で構成されたキャパシタCとを有し、キャパシタCの一端がフローティングゲート18に接続されている。上記構成の不揮発性半導体記憶素子において、制御ゲート17への正の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで書き込み動作を行い、制御ゲートへの負の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで消去動作を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

制御ゲートとフローティングゲートとを有し、前記フローティングゲートに電荷を保持することによりデータを記憶する不揮発性半導体記憶素子であって、ゲートが前記フローティングゲートとなるMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのゲートに一方の電極が接続され、他方の電極が前記制御ゲートとなるキャパシタとを備え、前記キャパシタの一方および他方の電極がメタル層で構成された不揮発性半導体記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10

FI (3件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 481

Fターム (20件)：

5F083EP03 , 5F083EP13 , 5F083EP22 , 5F083ER02 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083NA01 , 5F101BA02 , 5F101BA19 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-294865 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-354029 出願人：ソニー株式会社
スタックトゲートメモリセルの構造とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-165570 出願人：世界先進積體電路股ふん有限公司

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