半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245262
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092180
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】低消費電力化を図れる半導体記憶装置を実現する。【解決手段】メモリセルアレイ21aを複数のブロックBLK0a〜BLK3aに分割するとともに、ワード線をアドレス指定に基づいて駆動信号が伝搬されるグローバルワード線GWLと、各メモリブロック毎に設けられ、メモリブロックの同一行のメモリセルが共通に接続されたローカルワード線LWLとに分割し、アドレス指定されたメモリセルが接続されている所定メモリブロックのローカルワード線LWのみを駆動信号が伝搬されたグローバルワード線GWLに選択的に接続するブロック選択回路22a-1,22a-2を設ける。これにより、アドレス指定のメモリセルと同時にアクセストランジスタが駆動されるメモリセルの数をアレイの一行分全体ではなく、分割ブロックに配置されたメモリセルだけに減少させることができ、消費電力を低減することができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルが行列状に配置され、同一行に配置されたメモリセルが同一の駆動信号で駆動され、駆動されたメモリセルとビット線との間でデータの授受を行わせる半導体記憶装置であって、上記複数のメモリセルが列方向に複数のメモリセルブロックに分割され、かつ、アドレス指定に基づいて上記駆動信号が伝搬されるグローバルワード線と、各メモリセルブロック毎に設けられ、メモリセルブロックの同一行のメモリセルが共通に接続されたローカルワード線と、アドレス指定されたメモリセルが接続されている所定メモリセルブロックのローカルワード線のみを上記駆動信号が伝搬されたグローバルワード線に選択的に接続する選択回路とを有する半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-112360 出願人：松下電器産業株式会社
半導体メモリ装置及びデータ読み書き方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-174177 出願人：株式会社リコー
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-201493 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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