特許
J-GLOBAL ID：200903015549338561
ビアホールの銅メッキ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240276
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060349
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 孔径が40μmと小さくなった場合にも、信頼性が確保された状態のビアホール内の充填メッキを短時間で完了させる。【解決手段】 多層基板の上下の導体層間を接続するビアホールの内面に化学銅メッキを施した後、電解銅メッキによりビアホール内を充填メッキする。前記電解銅メッキを行う際に、先ず電流密度がメッキ浴の許容電流範囲における1.5A/dm2以下の低電流密度で行って、膜厚1μm以上を析出させた後、残りのメッキをそれより高い電流密度(例えば、3A/dm2)で行う。電解銅メッキは、正のパルスと負のパルスとを交互に、かつ正のパルスの通電量が大きく設定されたパルスメッキで行う。正のパルスの通電時間t1と負のパルスの通電時間t2との比t1/t2が40/2で、正のパルスの電流値Fと負のパルスの電流値Rとの比F/Rが1/3である。
請求項（抜粋）：
多層基板の上下の導体層間を接続するビアホールの内面に化学銅メッキを施した後、電解銅メッキによりビアホール内を充填メッキするビアホールの銅メッキ方法において、前記電解銅メッキを行う際に、先ず電流密度がメッキ浴の許容電流範囲における1.5A/dm2以下で行って、膜厚1μm以上を析出させた後、残りのメッキをそれより高い電流密度で行うビアホールの銅メッキ方法。
FI (2件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 B
5E346AA43
, 5E346FF15
, 5E346GG15
