特許
J-GLOBAL ID：200903015622671746

GaN系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
安富 敬三

安富 敬三 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376502
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142315
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 発光素子の層構造内にて白色光の実現が可能な素子構造とされるGaN系半導体発光素子において、その取出す白色光の発光強度などの光特性を有為に確保することを可能とするGaN系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の主表面上にて面内に、酸化シリコン層2を分散形成し、該酸化シリコン層2上にGaN系半導体化合物からなる発光層部4を形成するとともに、酸化シリコン層2に発光層部4からの紫外領域または青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質を分散形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたGaN系半導体化合物からなる発光層部とを有し、 前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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