特許
J-GLOBAL ID：200903015675936547
高電子移動度トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-375190
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142250
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 本発明は、電子走行層を走行する電子の移動度の低下を防ぎ、ノーマリーオフの動作と高速動作が可能な高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層3は、少なくともp型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層4と前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層は、少なくともp型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層と前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR07
, 5F102GS01
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC02
