特許
J-GLOBAL ID：200903012973452456
化合物半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137127
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342810
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】AlGaN/GaNのヘテロ構造を有するFETにおいて、チャネルの電位を安定させ、チャネル中に蓄積された正孔を効率的に除去することが可能な化合物半導体装置を提供する。【解決手段】導電性の基板の上に、P型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。バッファ層の上に、GaNからなる電子走行層が形成されている。電子走行層の上に、N型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層が形成されている。電子供給層の上にゲート電極が形成されている。ゲート電極の両側に、電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性の基板と、
前記基板の上にエピタキシャル成長され、P型導電性を有するバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成されたGaNからなる電子走行層と、
前記電子走行層の上に形成されたN型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側に配置され、前記電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極と
を有する化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK00
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR13
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102GV08
, 5F102HC11
