磁性メモリデバイス、および磁性メモリデバイスにおけるデータ読み出し方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-042458
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み/読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、メモリセルの記憶密度の向上を図り、かつ、消費電力の節減を図ることを目的とする。【解決手段】少なくとも3層の磁性層を積層して磁性メモリセル2を形成し、複数の磁性メモリセルを複数の第1のラインと、第1のラインと交差する複数の第2のラインとの交点に沿って配置し、第1のラインと第2のラインに選択的に電流を流して第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向を制御することにより、特定の磁性メモリセルに対しデータの書き込みを行い、第1のラインの各々は少なくとも2本のワード線からなり、2本のワード線の各々は、第1、第2および第3の磁性層のいずれか一つの磁気モーメントの方向を個別に制御し、特定の磁性メモリセルに2値以上のデータを記憶させるように構成される。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層、第2の磁性層および第3の磁性層を含む少なくとも3層の磁性層を積層して磁性メモリセルを形成し、該磁性メモリセルは、前記第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有しており、複数の前記磁性メモリセルを複数の第1のラインおよび該第1のラインと交差する複数の第2のラインの交点に沿って配置し、前記第1のライおよび前記第2のラインに選択的に所定の電流を流して前記第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向を制御することにより、特定の磁性メモリセルに対しデータの書き込みを行う磁性メモリデバイスであって、前記第1のラインの各々は、少なくとも2本のワード線からなり、該ワード線の各々は、前記第1、第2および第3の磁性層のいずれか一つの磁気モーメントの方向を個別に制御することにより、前記特定の磁性メモリセルに対し2値以上のデータを記憶させることを特徴とする磁性メモリデバイス。

IPC (6件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (6件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 A , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01L 43/08 Z , H01L 43/12

Fターム (6件)：

5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049CB10

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182152 出願人：松下電器産業株式会社
磁性メモリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-337406 出願人：日本ビクター株式会社
超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-510871 出願人：アメリカ合衆国

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