特許
J-GLOBAL ID：200903015746891876

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者：
古畑 直規

古畑 直規 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212520
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044211
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、高いデバイス特性を維持しつつ、しかも平坦化が容易で、作製プロセスが簡単なデバイス構造と製造方法を提供する。【解決手段】GaAs基板10上に、3-5族化合物半導体薄膜からなる第1導電型のコレクタ層12、第2導電型のベース層13、ベース層13より禁制帯幅が大きい第1導電型のエミッタ層14が形成され、それぞれの層に電極が形成されているヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ層12とコレクタ電極22の間にコレクタ層12より高濃度に不純物をドーピングした低抵抗の第1導電型のコンタクト層18を挿入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、3-5族化合物半導体薄膜からなる第1導電型のコレクタ層、第2導電型のベース層、前記ベース層より禁制帯幅が大きい第1導電型のエミッタ層が順次形成され、それぞれの層に電極が形成されているヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタ層とコレクタ電極の間に前記コレクタ層より高濃度に不純物をドーピングした低抵抗の第1導電型の半導体層が挿入されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205
Fターム (15件)：
5F003BA92 ,  5F003BC01 ,  5F003BC04 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BH05 ,  5F003BH07 ,  5F003BH99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BS04 ,  5F003BS08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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