特許
J-GLOBAL ID:200903015756680865

金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-222245
公開番号(公開出願番号):特開2007-042689
出願日: 2005年07月29日
公開日(公表日): 2007年02月15日
要約:
【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。【解決手段】 下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II](式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が1〜20の置換、又は無置換のアルキル基を表す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II] (式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なってもよく、炭素数が1〜20の置換又は無置換のアルキル基を表す。)
IPC (4件):
H01L 21/368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件):
H01L21/368 Z ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V
Fターム (74件):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BE61 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H048VA66 ,  4H048VB30 ,  5F053AA03 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053DD20 ,  5F053GG03 ,  5F053GG10 ,  5F053HH10 ,  5F053LL01 ,  5F053LL10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC09 ,  5F152CD02 ,  5F152CD10 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE08 ,  5F152CE09 ,  5F152CE18 ,  5F152CE28 ,  5F152CE44 ,  5F152FF03 ,  5F152FF22 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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