特許

J-GLOBAL ID：200903015756680865

金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

発明者： 平井 博幸
出願人/特許権者： 富士フイルムホールディングス株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222245
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042689
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。【解決手段】 下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II](式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が1〜20の置換、又は無置換のアルキル基を表す。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II] (式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なってもよく、炭素数が1〜20の置換又は無置換のアルキル基を表す。)

IPC (4件)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L21/368 Z ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V

Fターム (74件)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BE61 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H048VA66 ,  4H048VB30 ,  5F053AA03 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053DD20 ,  5F053GG03 ,  5F053GG10 ,  5F053HH10 ,  5F053LL01 ,  5F053LL10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC09 ,  5F152CD02 ,  5F152CD10 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE08 ,  5F152CE09 ,  5F152CE18 ,  5F152CE28 ,  5F152CE44 ,  5F152FF03 ,  5F152FF22 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路、アクティブマトリクス型表示装置、電気光学装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-019126   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 酸化物薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320283   出願人：ダイセル化学工業株式会社
• 金属酸化物薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345322   出願人：株式会社関西新技術研究所

審査官引用 (4件)

• ディスプレイパネルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259375   出願人：コニカ株式会社
• アクティブ駆動型有機EL表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-061505   出願人：出光興産株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 有機トランジスタ素子、アクティブ駆動素子及びそれを用いる表示媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-018313   出願人：コニカ株式会社