特許
J-GLOBAL ID：200903015818552168
ポリイミドのパターン作製
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101675
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301277
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 鮮明画像を得ることのできる、鋭角な縁部を有するポリイミドパターンを作製する。【解決手段】 基体上にポリイミドパターンを作製する方法であって、ポリアミド酸と、化学光線に露光した時に、更に水に可溶となる約1〜10重量%の光増感剤との有機溶媒溶液を調製し、基体上に、溶液の被膜を形成し、被膜から溶媒を蒸発させる。ポジ型フォトレジストを、被膜上に適用し、化学光線のパターンに露光する。フォトレジストの露光部分は、その下のポリアミド酸被膜の露光部分と同様に除去される。残ったフォトレジストは除去されて、ポリアミド酸被膜がイミド化される。
請求項（抜粋）：
基体上にポリイミドパターンを作製する方法であって、(A)ポリアミド酸と、化学光線に露光した時に、水性塩基現像液に更に可溶となる、約1〜約10重量%の感光性系との有機溶媒溶液を調製し、(B)基体上に前記溶液の被膜を形成し、(C)前記被膜から溶媒を蒸発させ、(D)前記被膜上にポジ型フォトレジストを適用し、(E)前記ポジ型フォトレジスト及び前記被膜を、化学光線のパターンに露光し、(F)前記ポジ型フォトレジストの露光部分を除去し、(G)前記被膜の露光部分を、水性塩基現像液中で溶解することにより除去し、(H)残部のフォトレジストを除去し、(I)前記基体上に残るポリアミド酸被膜をイミド化する、事を特徴とする方法。
IPC (5件)：
G03F 7/037 501
, G03F 7/022
, G03F 7/039
, G03F 7/32
, G03F 7/40 501
G03F 7/037 501
, G03F 7/022
, G03F 7/039
, G03F 7/32
, G03F 7/40 501
