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J-GLOBAL ID：200902157222568984   整理番号：99A0419825

水素化物気相エピタクシーによるタングステンマスクを用いたエピタキシャル横方向被覆成長GaNの光学的および結晶特性

Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

著者 (9件)： SONE H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  NAMBU S (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  IYECHIKA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 4A  ページ： L356-L359  発行年： 1999年04月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステンのストライプマスクパターンを使うGaNのエピタキ...

シソーラス用語： 水素化物 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (13件)：

• 1) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
• 3) Y. -F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50.
• 4) T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhang: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L964.
• 5) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素化物気相エピタクシー ,  タングステン ,  マスク ,  エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  GaN ,  光学 ,  結晶