特許
J-GLOBAL ID:200903015956991210

配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-054996
公開番号(公開出願番号):特開2005-244104
出願日: 2004年02月27日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】 本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を効率的に得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】 製造時における補強のための支持基板として用いる金属板2の第一主表面MP1に、該金属板2に対して選択エッチング性を有する金属薄膜層3を被膜する被膜工程と、 被膜工程後に、金属薄膜層3の第一主表面MP2に、金属端子パッドをなす導体パターン11を形成した上で、高分子材料からなる誘電体層と金属導体層とを交互に積層して配線積層部10を形成する積層工程と、 積層工程後に、金属板2を選択エッチングにより除去し、次いで、金属薄膜層3を選択エッチングにより除去することで、金属薄膜層3の第一主表面MP2側に形成された導体パターン11を露出させるエッチング工程と、 をこの順で行うことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
製造時における補強のための支持基板として用いる金属板の第一主表面に、該金属板に対して選択エッチング性を有する金属薄膜層を被膜する被膜工程と、 前記被膜工程後に、前記金属薄膜層の第一主表面に、金属端子パッドをなす導体パターンを形成した上で、高分子材料からなる誘電体層と金属導体層とを交互に積層して配線積層部を形成する積層工程と、 前記積層工程後に、前記金属板を選択エッチングにより除去し、次いで、前記金属薄膜層を選択エッチングにより除去することで、前記金属薄膜層の第一主表面側に形成された前記導体パターンを露出させるエッチング工程と、 をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K3/46 ,  H01L23/12
FI (2件):
H05K3/46 B ,  H01L23/12 N
Fターム (25件):
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA17 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346CC02 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC46 ,  5E346DD02 ,  5E346DD17 ,  5E346DD24 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346EE35 ,  5E346GG13 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG25 ,  5E346HH32
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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