特許
J-GLOBAL ID：200903015991048564

表面処理方法および装置

発明者：
三宅 浩二

三宅 浩二 について

, 
林 司

林 司 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253246
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068227
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 プラズマと被処理物との間に形成されるイオンシースの広がりを抑制することによって、被処理物に対する照射イオンエネルギーの均一性の向上、イオン照射量の増大および照射イオンエネルギーの上限の拡大を可能にする。【解決手段】 被処理物6の処理面に間隔(距離D)をあけて対向するように配置された多孔電極40を設けた。この多孔電極40は、電極支持体46を介して接地電位に固定されている。多孔電極40は、多数の小孔を有するものでも良いし、多数の金属細線をメッシュ状またはすだれ状に配置したものでも良い。支持体8に支持された被処理物6には、バイアス電源26から負のパルス状のバイアス電圧VB が印加される。
請求項（抜粋）：
真空容器内において被処理物の近傍にプラズマを生成し、かつ被処理物にバイアス電圧を印加して、前記プラズマ中のイオンを被処理物に入射させる表面処理方法において、前記被処理物の処理面に間隔をあけて対向していて接地電位または正電位に電位の固定された多孔電極を設けておき、かつ前記被処理物にパルス状または直流のバイアス電圧を印加することを特徴とする表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265 ,  C23C 14/48
FI (2件)：
H01L 21/265 F ,  C23C 14/48
Fターム (7件)：
4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DA10 ,  4K029DE00 ,  4K029EA06
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 特開平3-194833
  • 特開平1-307225
  • マイクロ波プラズマ反応装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-321003   出願人：ソニー株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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