特許
J-GLOBAL ID：200903016018383062

回路基板及びそれを用いたパワーモジュール

発明者：
門田 健次

門田 健次 について

, 
伊吹山 正浩

伊吹山 正浩 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206654
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055576
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】廉価で熱伝導率の高い銅製ヒートシンクを使用し、半田クラックを抑制し得るモジュールを提供する。【解決手段】セラミックス基板の片面に金属回路が、その反対面に金属放熱板が接合層を介して形成されてなる回路基板において、セラミックス基板の外周縁と金属放熱板の外周縁とのマージン幅(金属放熱板側マージン幅という)が、セラミックス基板の外周縁と金属回路の外周縁とのマージン幅(金属回路側マージン幅という)よりも大きく、しかも前記金属放熱板側マージン幅と前記金属回路側マージン幅の何れかが0.3mm以上3mm以下であって、しかも、両マージン幅の差が0.5mm以下であることを特徴とする回路基板を用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の片面に金属回路が、その反対面に金属放熱板が接合層を介して形成されてなる回路基板において、セラミックス基板の外周縁と金属放熱板の外周縁とのマージン幅(金属放熱板側マージン幅という)が、セラミックス基板の外周縁と金属回路の外周縁とのマージン幅(金属回路側マージン幅という)よりも大きく、しかも前記金属放熱板側マージン幅と前記金属回路側マージン幅の何れかが0.3mm以上3mm以下であって、しかも、両マージン幅の差が0.5mm以下であることを特徴とする回路基板。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L23/36
FI (2件)：
H01L23/12 J ,  H01L23/36 C
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA26 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13
引用特許：
審査官引用 (10件)
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