熱処理装置、減圧CVD装置、および薄膜装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027759
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】作業効率を低下することなく、アクティブマトリクス基板などといった大型の基板に対応できるよう処理炉を大型化できる加熱装置、減圧CVD装置、および薄膜装置の製造方法を提供すること。【解決手段】減圧CVD装置10Cにおいて、基板20Cに薄膜を形成するときには、反応炉11Cの内部に基板20Cを配置するとともに、ヒータ12Cによって基板20Cを反応炉11Cの外部から加熱して、基板20Cを一定温度に保つ。この状態で薄膜堆積処理を終えたときには、基板20Cを新たな基板に交換するが、この際には熱媒通路190Cに冷却した熱媒用ガスを通し、反応炉11Cおよび基板20Cを短時間で冷やす。

請求項（抜粋）：

基板に熱処理を施すための熱処理炉と、該熱処理炉の外部に配置され該熱処理炉内に設置された基板を加熱するための加熱手段と、前記熱処理炉を冷却するための冷却手段とを有することを特徴とする熱処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , H01L 21/22 501 , H01L 21/22 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/205 , H01L 21/22 501 A , H01L 21/22 501 C , H01L 21/285 C , H01L 21/31 B , H01L 21/324 D , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258094 出願人：株式会社東芝
熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-189394 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
特開平4-084420

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