特許

J-GLOBAL ID：200903016229790586

電気光学装置及びその製造方法

発明者： 高原 研一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354544
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158360
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。【解決手段】 電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、画素電極(9a)と、これに接続されたTFT(30)と、これに接続された走査線(3a)とを備える。走査線は、TFTのチャネル領域の長手方向に交わる方向に延びると共に平面的に見てチャネル領域に重なるTFTのゲート電極を含む本体部と、平面的に見てチャネル隣接領域の脇において本体部からチャネル領域の長手方向に突出する突出部とを有する。また、電気光学装置は、チャネル領域を上側から覆う上側遮光膜(300、6a)を備える。この上側遮光膜は、少なくとも部分的に、チャネル領域の長手方向に直交する断面上でチャネル領域側から見て凹状に形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された走査線とを備えており、前記薄膜トランジスタは、長手方向に延びるチャネル領域と該チャネル領域から更に前記長手方向に延びるチャネル隣接領域とを含む半導体層を有しており、前記走査線は、前記長手方向に交わる方向に延びると共に平面的に見て前記チャネル領域に重なる前記薄膜トランジスタのゲート電極を含む本体部と、平面的に見て前記チャネル隣接領域の脇において前記本体部から前記長手方向に突出する突出部とを有することを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338

FI (7件)：

G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (119件)：

2H091FA35Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC10 ,  2H091FC26 ,  2H091FD04 ,  2H091FD22 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H091LA11 ,  2H091LA12 ,  2H091MA07 ,  2H092HA11 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA09 ,  2H092RA05 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110EE37 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-253105   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-335834   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324578   出願人：シャープ株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-275732   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063828   出願人：日本電気株式会社