特許
J-GLOBAL ID：200903016238598019
EUV光源用コレクタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-509850
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523038
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
EUV光源におけるEUVコレクタの反射表面からデブリを除去するための方法および装置が開示され、これは第一の材料からなる反射表面および第二の材料および/または第二の材料の化合物からなるデブリを含んでなり、前記システムおよび方法は、制御されたスパッタリングイオン源と(該イオン源は前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを含んでよく);前記スパッタリング材料の原子をイオン化された状態に励起する誘導機構とを含んでよく、前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性、および前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピークの周囲の分布を有するように選択される。前記誘導機構は、RFまたはマイクロ波誘導機構を含んでよい。前記ガスは、前記選択されたエネルギーピークを部分的に決定する圧力に維持され、また前記誘導機構は、前記第二の材料のプラズマデブリ原子の流入速度以上の前記反射表面からの前記第二の材料のスパッタ密度を形成する、前記スパッタリングイオン材料のイオンの流入を形成してよい。スパッタ速度は、前記反射表面の所定の望ましい寿命について選択されてよい。前記反射表面はキャップされてもよい。前記コレクタは、楕円形ミラー、および半径方向に伸びるチャンネルを含み得るデブリシールドを具備してよい。前記第一の材料はモリブデンであってよく、前記第二の材料はリチウムであってよく、また前記イオン材料はヘリウムであってよい。前記システムは、前記反射表面から前記第二の材料を蒸発させるためのヒータを有してよい。前記誘導機構は、着火時と着火時との間は前記反射表面に接続されてよい。前記反射表面はバリア層を有してよい。前記コレクタは、入射反射シェルの視射角と組合された球形ミラーであってよく、これは反射体シェル上の多層スタックのための層材料の選択によって分光学的フィルタとして作用してもよい。前記スパッタリングは加熱と組合されることができ、後者はリチウムを除去し、前者はリチウムの化合物を除去し、また前記スパッタリングは励起されたガス原子ではなくプラズマ中で生成したイオンによるものであってよい。
請求項（抜粋）：
EUV光源におけるEUVコレクタの反射表面上にプラズマにより生じた残渣デブリを除去するためのデブリ除去システムであって、前記反射表面は第一の材料を含んでなり、前記デブリは第二の材料を含んでなり、
該システムは、制御されたスパッタリングイオン源を具備し;
該スパッタリングイオン源は、
スパッタリングイオン材料の原子を含んでなるガスと;
該スパッタリングイオン材料の原子をイオン化された状態に励起させる誘導機構とを含んでなり、
前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性を有し、且つ前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピーク周囲の分布を有するように選択されたシステム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F046GA03
, 5F046GB01
, 5F046GB04
, 5F046GB09
, 5F046GC03
