特許
J-GLOBAL ID：200903016240570784

半導体装置およびその製造方法

発明者：
神谷 俊幸

神谷 俊幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316822
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124312
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い配線層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、第1配線層30と、前記第1配線層30の上方に形成された層間絶縁層40と、前記層間絶縁層40の上方に形成された第2配線層50と、前記第2配線層50および前記層間絶縁層40に形成されたスルーホール60と、前記スルーホール60内に形成された、前記第1配線層30と前記第2配線層50とを電気的に接続するコンタクト層70とを有する。
請求項（抜粋）：
第1配線層と、前記第1配線層の上方に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上方に形成された第2配線層と、前記第2配線層および前記層間絶縁層に形成されたスルーホールと、前記スルーホール内に形成された、前記第1配線層と前記第2配線層とを電気的に接続するコンタクト層と、を有する、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/302 M
Fターム (81件)：
5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004EB01 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN16 ,  5F033NN32 ,  5F033PP02 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX31
引用特許：
審査官引用 (6件)
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