特許
J-GLOBAL ID:200903016281377980
カーボンナノチューブの製造装置および製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
中村 智廣
, 成瀬 勝夫
, 小泉 雅裕
, 青谷 一雄
, 井出 哲郎
, 片岡 忠彦
, 鳥野 正司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-051599
公開番号(公開出願番号):特開2004-256373
出願日: 2003年02月27日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
【課題】カーボンナノチューブを低コストで製造し得るカーボンナノチューブの製造装置および製造方法を提供すること、更に、低コストでありながら、より一層高純度のカーボンナノチューブを製造し得るカーボンナノチューブの製造装置および製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも、最先端部が対向する2つの電極11,12と、電極11,12間の放電領域に放電プラズマを生成するべく電極11,12間に電圧を印加する電源18とからなり、対向する2つの電極11,12のうち少なくとも一方が、多孔性炭素材料からなることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置および製造方法である。また、好ましくは前記放電プラズマの生成領域に、少なくとも、多方向の磁力線を有する磁場、または、放電電流の進行方向に対して平行な成分を有する磁場を形成する磁界発生手段21,22を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
少なくとも、最先端部が対向する2つの電極と、該電極間の放電領域に放電プラズマを生成するべく前記電極間に電圧を印加する電源とからなるカーボンナノチューブの製造装置であって、
対向する2つの前記電極のうち少なくとも一方が、多孔性炭素材料からなることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (12件):
4G146AA11
, 4G146BA32
, 4G146BA42
, 4G146BB21
, 4G146BC16
, 4G146BC17
, 4G146BC18
, 4G146BC24
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA17
, 4G146DA33
引用特許: